SSD

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 92000/31000 IOps

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 83000/69000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/2700 MBps, случайный доступ: 500000/500000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/495 MBps

1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 MBps

3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps

1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 5000/4800 MBps, случайный доступ: 620000/550000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 553/498 MBps

M.2, SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 76000/85000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D NAND TLC, последовательный доступ: 520/290 MBps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 400000/90000 IOps

128 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps