SSD

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps

M.2, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530/450 MBps, случайный доступ: 76900/85000 IOps

1 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2130/1720 MBps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 30000/75000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, последовательный доступ: 520/430 MBps, случайный доступ: 50000/50000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер ASolid AS2258, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 76000/85000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D NAND TLC, последовательный доступ: 520/290 MBps

M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps, случайный доступ: 80000/80000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/420 MBps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/450 MBps

2 ТБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с

2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/2900 MBps, случайный доступ: 636500/111500 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/420 MBps

2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/320 MBps

1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/2900 МБайт/с, случайный доступ: 480000/540000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3500/3200 MBps, случайный доступ: 480000/550000 IOps