SSD Samsung

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 1000000/200000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 400000/90000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 430000/60000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/30000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps

4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер